高效纯红光钙钛矿LED

近日，中国科学技术大学的研究团队在LED技术领域取得重要突破。该校姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡伟团队通过创新性研究，成功解决了纯红光钙钛矿LED性能瓶颈问题，并开发出具有国际领先水平的高性能LED器件。

该研究团队自主研发了一种先进的检测技术——电激发瞬态吸收光谱技术（EETA），用于分析LED内部电子状态。通过这项技术，研究人员发现，空穴泄漏到电子传输层是制约纯红光钙钛矿LED性能提升的关键因素。

针对这一问题，研究团队提出了一种新型材料结构设计方案：三维钙钛矿异质结。他们通过在钙钛矿晶格中引入有机分子，改变了发光层的晶体结构，并构建了阻止空穴逸出的宽带隙能垒。这种设计不仅限制了载流子的扩散范围，同时保持了高迁移率特性。

基于上述创新成果，研究团队开发的纯红光钙钛矿LED展现出卓越性能：峰值外量子效率（EQE）达到24.2%，与当前顶级有机发光二极管（OLED）水平相当；最大亮度为24600坎德拉/平方米，较此前报道的纯红光三维钙钛矿LED提升了三倍。此外，该器件还表现出极低的效率滚降特性，在亮度达到22670坎德拉/平方米时，其外量子效率仍保持在10%以上。